“英特尔精尖制造日”首推全球晶体管密度最高的制程工艺
“英特尔精尖生产日”活动今天举办，展出了英特尔制程工艺的多项最重要进展，还包括：英特尔10纳米制程功耗和性能的近期细节，英特尔首款10纳米FPGA的计划，并宣告了业内首款面向数据中心应用于的64层3DNAND产品已构建商用并销售。
“英特尔精尖生产日”活动今天举办，展出了英特尔制程工艺的多项最重要进展，还包括：英特尔10纳米制程功耗和性能的近期细节，英特尔首款10纳米FPGA的计划，并宣告了业内首款面向数据中心应用于的64层3DNAND产品已构建商用并销售。“英特尔遵循摩尔定律，持续向前前进制程工艺，每一代都会带给更加强劲的功能和性能、更高的能效、更加较低的晶体管成本，”英特尔公司继续执行副总裁兼生产、运营与销售集团总裁StacySmith回应，“很高兴首次在中国与大家共享英特尔制程工艺路线图中的多项最重要进展，展现出了我们持续推展摩尔定律向前发展所取得的丰硕成果。”英特尔公司全球副总裁兼中国区总裁杨旭英特尔公司全球副总裁兼中国区总裁杨旭青睐来自合作伙伴、客户、政府部门和学术界的嘉宾以及新闻媒体参加2017年9月19日在北京举办的“英特尔精尖生产日”活动。
此次活动侧重较慢发展的中国技术生态系统，申明英特尔与中国半导体产业共计茁壮的允诺。英特尔在中国耕耘32年，打造出了世界级的晶圆生产和PCB测试工厂，自2004年以来在华协议总投放约130亿美元。StacySmith更进一步回应，英特尔推展摩尔定律向前发展的能力——每一年都持续减少产品价格并提高其性能——是英特尔的核心竞争优势。
英特尔仍然以来都是并将之后沦为推展摩尔定律向前发展的技术领导者，目前英特尔在制程工艺上维持着约三年的领先性。透露10纳米制程的功耗和性能最新进展英特尔高级院士马博（MarkBohr）讲解了英特尔10纳米制程工艺的近期细节，展现出了英特尔的技术领先性。在晶体管密度和晶体管性能方面，英特尔10纳米皆领先其他竞争友商“10纳米”整整一代。
通过使用超强微缩技术（hyperscaling），英特尔10纳米制程工艺享有世界上最密集的晶体管和大于的金属间距，从而构建了业内最低的晶体管密度。超强微缩所指的是英特尔在14纳米和10纳米制程节点上提高2.7倍晶体管密度的技术。在此次“英特尔精尖生产日”活动上，英特尔“CannonLake”10纳米晶圆全球首次公开发表亮相。
英特尔公司继续执行副总裁兼生产、运营与销售集团总裁StacySmith全球首次展出“CannonLake”10纳米晶圆，使用超强微缩技术，享有世界上最密集的晶体管和大于的金属间距，从而构建了业内最低的晶体管密度。马博还展示了他明确提出的晶体管密度计算公式，借以规范晶体管密度的标准化衡量标准，以此厘清当前业内制程节点命名乱象，这也是英特尔不懈的坚决和希望，将有助更为更容易地较为有所不同厂商之间的技术。讲解22FFL的功耗和性能最新进展马博同时讲解了英特尔22FFL功耗和性能的近期细节。
22FFL是在2017年3月美国“英特尔精尖生产日”活动上首次宣告的一种面向移动应用于的超强低功耗FinFET技术。英特尔22FFL可带给一流的CPU性能，构建多达2GHz的主频以及漏电减少100倍以上的超强低功耗。此外，22FFL晶圆在本次活动上全球首次公开发表亮相。
英特尔公司继续执行副总裁兼生产、运营与销售集团总裁StacySmith入围10纳米FPGA产品计划在本次活动上，英特尔发布了使用英特尔10纳米制程工艺和晶圆代工平台的下一代FPGA计划。研发代号为“FalconMesa”的FPGA产品将带给全新水平的性能，以反对数据中心、企业级和网络环境中日益增长的比特率市场需求。英特尔和Arm在10纳米制程合作方面获得重大进展在2016年8月于旧金山举办的英特尔信息技术峰会（IDF）上，英特尔晶圆代工宣告与Arm达成协议，双方将加快基于英特尔10纳米制程的Arm系统芯片研发和应用于。
作为这一合作的结晶，今天的“英特尔精尖生产日”全球首次展出了ArmCortex-A75CPU内核的10纳米测试芯片晶圆。这款芯片使用行业标准设计流程，可实现多达3GHz的性能。公布业内首款面向数据中心的64层TLC3DNAND固态盘英特尔还宣告了业内首款面向数据中心的64层、三级单元（TLC）3DNAND固态盘产品已月销售。
该产品自2017年8月初之后开始向部分顶级云服务提供商发货，目的协助客户大幅度提高存储效率。在存储领域30年的专业文化底蕴，使得英特尔可以发售优化的3DNAND浮栅架构和生产工艺。
英特尔的制程领先性，使其需要较慢把2017年6月发售的64层TLC固态盘产品组合，很快从客户端产品扩展到今天的数据中心固态盘产品。到2017年年底，该产品将在更大范围内上市。
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